随着PD3.1充电协议的推出和氮化镓等新型材料的运用，充电器在做到高功率快充的同时，体积也越来越小巧，集成度也越来越高。但这也带来了新的问题，更高的输出电压超过了许多元器件的耐压范围，这对充电器元器件的耐压性能提出了新的要求。

充电头网在近期拆解的一款三星35W快充充电器上发现，其内置了国产厂商威兆的同步整流管，该产品具有低导通电阻，并可以达到100V的耐压。

三星推出的这款双口充电器为黑色磨砂外壳，固定插脚设计，充电器配备一个USB-A接口和一个USB-C接口。

得益于高集成电源主控芯片和紧凑的设计，三星充电器的体积要小于同为35W的苹果充电器。

拆解发现其PCBA板背面焊接整流桥和协议芯片，初次级之间开槽并插入隔离板绝缘。

其内部的同步整流管来自威兆半导体，型号VSP004N10MS-G，是一颗耐压100V的NMOS，导阻为3.8mΩ，采用PDFN5060X封装。

VSP004N10MS-G采用无铅封装，具有增强模式和低导通电阻的特点，可应用于各功率范围的快充充电器。此前已经先后被小米67W UFCS氮化镓充电器、一加80W 超级闪充充电器采用，在产品性能和质量上得到各大品牌充分认可。

充电头网拆解了解到，威兆MOS管除了应用于充电器领域，还广泛应用在无线充、车充、充电宝、储能电源等各个方面，并被小米、紫米、三星、OPPO、VIVO、魅族、努比亚、倍思、公牛、网易智造等知名品牌的数十款产品采用，产品质量获得客户一致认可。

深圳市威兆半导体股份有限公司（威兆半导体，Vergiga Semiconductor）成立于2012年， 总部位于深圳市南山智园崇文园区，是国家级专精特新“小巨人”企业及国家级重点专精特新“小巨人”企业。 自成立以来，威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。其产品广泛应用于PC/服务器、消费电子、通讯电源、工业控制、汽车电子及新能源产业等领域。

三星推出的这款双口充电器为黑色外壳，固定插脚设计，充电器具备1A1C双接口，其中USB-C口单独输出时具备35W输出功率，USB-C和USB-A口同时输出时，支持20W和15W功率分配，满足两台设备同时充电需求，具备很好的快充兼容性。其内置了来自威兆半导体的同步整流管，这款产品具有低导通电阻、高耐压的特点，可应用于各功率范围的快充充电器。

近年来威兆半导体在手机快充领域持续发力，其生产的MOS管已经被小米、魅族、一加、三星等国内外知名品牌多次采用，这也意味着其产品性能已经获得市场的高度认可。